將整個(gè)工作區(qū)域與寬大的安全工作區(qū)等分開。根據(jù)器件的封裝，分為單管和模塊兩種。根據(jù)設(shè)備參數(shù)，分為不同等級的電流電壓規(guī)范。

IGBT是一種基于電導(dǎo)調(diào)的MOSFET的新型半導(dǎo)體復(fù)合器件。

或者M(jìn)OS驅(qū)動(dòng)雙極型晶體管。它集單極器件和多極器件的優(yōu)點(diǎn)于一身，尤其適用于感應(yīng)加熱電源。根據(jù)IGBT的應(yīng)用特征，IGBT有以下特點(diǎn)：

(1)全控裝置，電壓驅(qū)動(dòng)，操作簡單；

(2)輸出阻壓高，載流密度大，通態(tài)壓低，適于高電壓、大功率應(yīng)用；

(3)開關(guān)的動(dòng)態(tài)性能介于MOS和GTR之間，目前工作頻率在100kHz左右；

(4)可以有一個(gè)寬廣的安全區(qū)，而且不會(huì)出現(xiàn)二次擊穿，但是要避免擎天效應(yīng)。

(5)IGBT的傳輸特性，描述了集電極電流Ic和柵壓UGE之間的關(guān)系，類似于電力MOSFET的傳輸特性。開壓UGE(th)指IGBT可以通過改變其導(dǎo)通電壓來實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)調(diào)制。