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感應(yīng)加熱電源-可控硅、IGBT,MOSFET分類(lèi)



感應(yīng)加熱電源電力電子器件特性和處理速度的迅速發(fā)展趨勢(shì),促使感應(yīng)加熱電源技術(shù)性也*保持頻率高頻率化、效率高源能化、環(huán)保節(jié)能化。依據(jù)所保持的電源額定功率容積和頻率的不一樣,感應(yīng)加熱電源中的關(guān)鍵電力電子器件可分成可控硅、IGBT,MOSFET等。

感應(yīng)加熱電源設(shè)備
感應(yīng)加熱電源設(shè)備



感應(yīng)加熱電源的可控硅可以承擔(dān)很高的工作電壓和電流量,并且工作中靠譜,故關(guān)鍵運(yùn)用在高頻500H2-8KHz范圍之內(nèi),輸出功率可做到數(shù)兆KW;絕緣層?xùn)烹p極三極管IGBT電源開(kāi)關(guān)頻率迅速、耐熱性好、且需要驅(qū)動(dòng)器輸出功率小,故規(guī)模性運(yùn)用在超聲頻20KHz-50KHz范圍之內(nèi),輸出功率可做到1000KW,電力工程場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET的光耦電路簡(jiǎn)易、輸出功率高,所以用以在高頻率環(huán)節(jié)100KH左右,輸出功率可做到400kw。

感應(yīng)加熱電源性能
感應(yīng)加熱電源性能

19新世紀(jì)前期,電磁感應(yīng)基本原理和楞次定律被發(fā)覺(jué),但在20新世紀(jì)早期,感應(yīng)加熱技術(shù)性才宣布被運(yùn)用于工業(yè)生產(chǎn)中。先運(yùn)用的行業(yè)是金屬材料熔化。初期的金屬材料加熱機(jī)器設(shè)備都應(yīng)用金屬材料,以后不導(dǎo)電性的材料剛開(kāi)始運(yùn)用于感應(yīng)加熱熔化機(jī)器設(shè)備,該感應(yīng)加熱電源的基本原理是進(jìn)入60Hz的電流量,并立即加進(jìn)被熔金屬材料上加熱。




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